MTN2N70FP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN2N70FP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.8 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для MTN2N70FP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN2N70FP даташит

 ..1. Size:273K  cystek
 mtn2n70fp.pdf pdf_icon

MTN2N70FP

Spec. No. C722FP Issued Date 2011.06.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 700V RDS(ON) 5.8 (typ.) MTN2N70FP ID 1.8A Description The MTN2N70FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

 7.1. Size:336K  cystek
 mtn2n70i3.pdf pdf_icon

MTN2N70FP

Spec. No. C722I3 Issued Date 2009.08.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.11.10 Page No. 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 700V RDSON(typ) 6.2 MTN2N70I3 ID 1.8A Description The MTN2N70I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resi

 9.1. Size:333K  cystek
 mtn2n65j3.pdf pdf_icon

MTN2N70FP

Spec. No. C722J3 Issued Date 2010.08.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V RDSON(typ) 6.2 MTN2N65J3 ID 1.8A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and halogen-free package

 9.2. Size:336K  cystek
 mtn2n65i3.pdf pdf_icon

MTN2N70FP

Spec. No. C722I3 Issued Date 2009.08.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.11.10 Page No. 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V RDSON(typ) 6.2 MTN2N65I3 ID 1.8A Description The MTN2N65I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTN2604G6, MTN2N60FP, MTN2N60I3, MTN2N60J3, MTN2N65AI3, MTN2N65FP, MTN2N65I3, MTN2N65J3, P60NF06, MTN2N70I3, MTN3018S3, MTN3023J3, MTN303KN3, MTN3055J3, MTN3055L3, MTN3055M3, MTN3205E3