Справочник MOSFET. MTN3023J3

 

MTN3023J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN3023J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MTN3023J3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN3023J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:390K  cystek
mtn3023j3.pdfpdf_icon

MTN3023J3

Spec. No. : C737J3 Issued Date : 2011.11.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.14 Page No. : 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMTN3023J3 ID 30AVGS=10V, ID=20A 14m RDSON(TYP) Features VGS=4.5V, ID=10A 21m Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent C

 9.1. Size:307K  cystek
mtn303kn3.pdfpdf_icon

MTN3023J3

Spec. No. : C814N3 Issued Date : 2012.05.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.08.27 Page No. : 1/8 20V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20VMTN303KN3 ID 850mARDSON@VGS=4.5V, ID=600mA 300m(typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=400mA 450m(typ) RDSON@VGS=1.8V,ID=350mA 870m(typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free packag

 9.2. Size:563K  cystek
mtn3055j3.pdfpdf_icon

MTN3023J3

Spec. No. : C390J3 Issued Date : 2007.06.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2009.02.04 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VID 15AMTN3055J3 RDSON 26m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-252 MTN3055J3GGate G D S D

 9.3. Size:261K  cystek
mtn3018s3.pdfpdf_icon

MTN3023J3

Spec. No. : C320S3-R Issued Date : 2007.11.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.09 Page No. : 1/7 N-CHANNEL MOSFET MTN3018S3 Description The MTN3018S3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Features Low on-resistance High ESD High speed switching Low-voltage drive(4V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel

Другие MOSFET... MTN2N60J3 , MTN2N65AI3 , MTN2N65FP , MTN2N65I3 , MTN2N65J3 , MTN2N70FP , MTN2N70I3 , MTN3018S3 , IRF730 , MTN303KN3 , MTN3055J3 , MTN3055L3 , MTN3055M3 , MTN3205E3 , MTN3207E3 , MTN3207F3 , MTN3400N3 .

History: VBZE20P03 | MIC94052BC6TR | NTLUD3A260PZ | GSM9435WS | IPP65R660CFD | APT5024BLL | NVHL040N65S3F

 

 
Back to Top

 


 
.