MTN3418CN3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN3418CN3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для MTN3418CN3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN3418CN3 даташит

 ..1. Size:280K  cystek
 mtn3418cn3.pdf pdf_icon

MTN3418CN3

Spec. No. C570N3 Issued Date 2012.02.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.07.30 Page No. 1/7 N-CHANNEL MOSFET BVDSS 30V ID 1.4A MTN3418CN3 RDSON(max) @VGS=10V 300m RDSON(max) @VGS=4V 450m Description The MTN3418CN3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Features Low on-resistance High ESD High speed switching Low-voltage dri

 7.1. Size:274K  cystek
 mtn3418s3.pdf pdf_icon

MTN3418CN3

Spec. No. C726S3 Issued Date 2011.12.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.09 Page No. 1/7 N-CHANNEL MOSFET BVDSS 30V ID 1.9A MTN3418S3 RDSON(max) 110m Description The MTN3418S3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Features Low on-resistance High ESD High speed switching Low-voltage drive(4V) Easily designed drive circ

 7.2. Size:282K  cystek
 mtn3418bn3.pdf pdf_icon

MTN3418CN3

Spec. No. C580N3 Issued Date 2011.09.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 N-CHANNEL MOSFET BVDSS 30V ID 1.7A MTN3418BN3 RDSON(max) 450m Description The MTN3418BN3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Features Low on-resistance High speed switching Low-voltage drive(2.5V) Easily designed drive circuits Pb-free pac

 7.3. Size:280K  cystek
 mtn3418n3.pdf pdf_icon

MTN3418CN3

Spec. No. C726N3 Issued Date 2009.08.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.11.29 Page No. 1/7 N-Channel MOSFET BVDSS 30V ID 1.9A MTN3418N3 RDSON(max) 110m Description The MTN3418N3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Features Low on-resistance High ESD High speed switching Low-voltage drive(4V) Easily designed drive circ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTN3055M3, MTN3205E3, MTN3207E3, MTN3207F3, MTN3400N3, MTN3410F3, MTN3410J3, MTN3418BN3, EMB04N03H, MTN3418N3, MTN3418S3, MTN3434G6, MTN3440N6, MTN3484J3, MTN3484V8, MTN351AN3, MTN35N03J3