2N6967JANTX datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N6967JANTX  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 1.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO213

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2N6967JANTX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N6967JANTX даташит

 9.1. Size:298K  rca
 2n583 2n584 2n640 2n641 2n642 2n643 2n644 2n645 2n656 2n696.pdf pdf_icon

2N6967JANTX

 9.2. Size:1095K  ixys
 2n6963 2n6965 2n7100 2n7101 2n7102 2n710.pdf pdf_icon

2N6967JANTX

Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 20

 9.3. Size:61K  microsemi
 2n696 2n697.pdf pdf_icon

2N6967JANTX

TECHNICAL DATA NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/99 Devices Qualified Level 2N696 2N697 JAN 2N696S 2N697S MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value Units Collector-Base Voltage 60 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 5.0 Vdc VEBO Total Power Dissipation @ T = 250C (1) 0.6 W A PT @ T = 250C (2) 2.0 W C 0 Operating & Storage Juncti

 9.4. Size:270K  siliconix
 2n6962.pdf pdf_icon

2N6967JANTX

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2N6962, 2N6963, 2N6964, 2N6965, 2N6966, 2N6966JANTX, 2N6966JANTXV, 2N6967, IRF740, 2N6967JANTXV, 2N6968, 2N6968JANTX, 2N6968JANTXV, 2N6969, 2N6969JANTX, 2N6969JANTXV, 2N7000