MTN3N65FP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTN3N65FP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm
Тип корпуса: TO-220FP
Аналог (замена) для MTN3N65FP
MTN3N65FP Datasheet (PDF)
mtn3n65fp.pdf

Spec. No. : C798FP Issued Date : 2010.03.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.30 Page No. : 1/ 11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 3.6 (typ.) MTN3N65FP ID : 3A Description The MTN3N65FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-
mtn3n60i3.pdf

Spec. No. : C798I3 Issued Date : 2010.08.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.11.10 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 3.6 (typ.) MTN3N60I3 ID : 3A Description The MTN3N60I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r
mtn3n60j3.pdf

Spec. No. : C798J3 Issued Date : 2010.08.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 3.6 (typ.) MTN3N60J3 ID : 3A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and halogen-free package Applications
mtn3n60fp.pdf

Spec. No. : C798FP Issued Date : 2010.03.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.30 Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 3.6 (typ.) MTN3N60FP ID : 3A Description The MTN3N60FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-
Другие MOSFET... MTN3607E3 , MTN3607F3 , MTN3820F3 , MTN3820J3 , MTN3K01N3 , MTN3N60FP , MTN3N60I3 , MTN3N60J3 , IRF640 , MTN40N03I3 , MTN40N03J3 , MTN4402Q8 , MTN4410Q8 , MTN4410V8 , MTN4424Q8 , MTN4800V8 , MTN4N01Q8 .
History: SHD218409B | TK100F06K3 | HMS11N70K | IXFF80N50Q2 | NDD04N60Z-1G | MSD80N03 | CEU07N65A
History: SHD218409B | TK100F06K3 | HMS11N70K | IXFF80N50Q2 | NDD04N60Z-1G | MSD80N03 | CEU07N65A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219