MTN3N65FP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN3N65FP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для MTN3N65FP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN3N65FP даташит

 ..1. Size:354K  cystek
 mtn3n65fp.pdf pdf_icon

MTN3N65FP

Spec. No. C798FP Issued Date 2010.03.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.03.30 Page No. 1/ 11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V RDS(ON) 3.6 (typ.) MTN3N65FP ID 3A Description The MTN3N65FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-

 8.1. Size:328K  cystek
 mtn3n60i3.pdf pdf_icon

MTN3N65FP

Spec. No. C798I3 Issued Date 2010.08.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.11.10 Page No. 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 600V RDS(ON) 3.6 (typ.) MTN3N60I3 ID 3A Description The MTN3N60I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r

 8.2. Size:326K  cystek
 mtn3n60j3.pdf pdf_icon

MTN3N65FP

Spec. No. C798J3 Issued Date 2010.08.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 600V RDS(ON) 3.6 (typ.) MTN3N60J3 ID 3A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and halogen-free package Applications

 8.3. Size:274K  cystek
 mtn3n60fp.pdf pdf_icon

MTN3N65FP

Spec. No. C798FP Issued Date 2010.03.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.03.30 Page No. 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 600V RDS(ON) 3.6 (typ.) MTN3N60FP ID 3A Description The MTN3N60FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTN3607E3, MTN3607F3, MTN3820F3, MTN3820J3, MTN3K01N3, MTN3N60FP, MTN3N60I3, MTN3N60J3, IRFP460, MTN40N03I3, MTN40N03J3, MTN4402Q8, MTN4410Q8, MTN4410V8, MTN4424Q8, MTN4800V8, MTN4N01Q8