MTN3N65FP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTN3N65FP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
trⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm
Тип корпуса: TO-220FP
MTN3N65FP Datasheet (PDF)
mtn3n65fp.pdf
Spec. No. : C798FP Issued Date : 2010.03.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.30 Page No. : 1/ 11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 3.6 (typ.) MTN3N65FP ID : 3A Description The MTN3N65FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-
mtn3n60i3.pdf
Spec. No. : C798I3 Issued Date : 2010.08.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.11.10 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 3.6 (typ.) MTN3N60I3 ID : 3A Description The MTN3N60I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r
mtn3n60j3.pdf
Spec. No. : C798J3 Issued Date : 2010.08.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 3.6 (typ.) MTN3N60J3 ID : 3A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and halogen-free package Applications
mtn3n60fp.pdf
Spec. No. : C798FP Issued Date : 2010.03.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.30 Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 3.6 (typ.) MTN3N60FP ID : 3A Description The MTN3N60FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: IRC6405
History: IRC6405
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918