FSL13AOR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FSL13AOR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO205AF

Аналог (замена) для FSL13AOR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSL13AOR даташит

 7.1. Size:45K  harris semi
 fsl13ao.pdf pdf_icon

FSL13AOR

FSL13AOD, S E M I C O N D U C T O R FSL13AOR Radiation Hardened, SEGR Resistant February 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Description 9A, 100V, rDS(ON) = 0.180 The Discrete Products Operation of Harris Semiconductor has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs Total Dose specifically designed for commercial and military space applications. Enhanced Power MOSFET

 9.1. Size:54K  intersil
 fsl130.pdf pdf_icon

FSL13AOR

FSL130D, FSL130R 8A, 100V, 0.230 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs June 1998 Features Description 8A, 100V, rDS(ON) = 0.230 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (S

Другие IGBT... FSJ9160R, FSJ9260D, FSJ9260R, FSL110D, FSL110R, FSL130D, FSL130R, FSL13AOD, IRFB4115, FSL230D, FSL230R, FSL234D, FSL234R, FSL23A4D, FSL23A4R, FSL23AOD, FSL23AOR