MTN4424Q8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN4424Q8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для MTN4424Q8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN4424Q8 даташит

 ..1. Size:388K  cystek
mtn4424q8.pdfpdf_icon

MTN4424Q8

Spec. No. C382Q8 Issued Date 2007.06.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.03.18 Page No. 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTN4424Q8 Description The MTN4424Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SOP-8 pack

 9.1. Size:308K  cystek
mtn4402q8.pdfpdf_icon

MTN4424Q8

Spec. No. C910Q8 Issued Date 2013.05.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 20V MTN4402Q8 ID 20A 4.3m VGS=4.5V, ID=20A RDSON(TYP) 5.3m VGS=2.5V, ID=20A Description The MTN4402Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switc

 9.2. Size:312K  cystek
mtn4410v8.pdfpdf_icon

MTN4424Q8

Spec. No. C397V8 Issued Date 2012.03.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.03.15 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTN4410V8 Features Single Drive Requirement Low On-resistance Pb-free lead plating package Applications Synchronous rectifier for DC/DC converters Telecom secondary side rectification High end s

 9.3. Size:305K  cystek
mtn4410q8.pdfpdf_icon

MTN4424Q8

Spec. No. C397Q8 Issued Date 2007.06.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.01.23 Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTN4410Q8 Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt rating Repetitive Avalanche Rated Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol O

Другие IGBT... MTN3N60I3, MTN3N60J3, MTN3N65FP, MTN40N03I3, MTN40N03J3, MTN4402Q8, MTN4410Q8, MTN4410V8, IRF640N, MTN4800V8, MTN4N01Q8, MTN4N60AE3, MTN4N60AFP, MTN4N60E3, MTN4N60FP, MTN4N60I3, MTN4N60J3