MTN4424Q8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTN4424Q8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
MTN4424Q8 Datasheet (PDF)
mtn4424q8.pdf
Spec. No. : C382Q8 Issued Date : 2007.06.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.18 Page No. : 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTN4424Q8 Description The MTN4424Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SOP-8 pack
mtn4402q8.pdf
Spec. No. : C910Q8 Issued Date : 2013.05.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 20VMTN4402Q8 ID 20A4.3m VGS=4.5V, ID=20A RDSON(TYP) 5.3m VGS=2.5V, ID=20A Description The MTN4402Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switc
mtn4410v8.pdf
Spec. No. : C397V8 Issued Date : 2012.03.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.03.15 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTN4410V8 Features Single Drive Requirement Low On-resistance Pb-free lead plating package Applications Synchronous rectifier for DC/DC converters Telecom secondary side rectification High end s
mtn4410q8.pdf
Spec. No. : C397Q8 Issued Date : 2007.06.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.01.23 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTN4410Q8 Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt rating Repetitive Avalanche Rated Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol O
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: WMB060N10LGS
History: WMB060N10LGS
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918