Справочник MOSFET. MTN4N60AE3

 

MTN4N60AE3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN4N60AE3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN4N60AE3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:239K  cystek
 mtn4n60ae3.pdf pdf_icon

MTN4N60AE3

Spec. No. : C408E3-A Issued Date : 2011.01.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 2.8(typ.) MTN4N60AE3 ID : 4A Description The MTN4N60AE3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

 6.1. Size:315K  cystek
 mtn4n60afp.pdf pdf_icon

MTN4N60AE3

Spec. No. : C408FP-B Issued Date : 2010.03.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.29 Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) typ: 2.8 MTN4N60AFP ID : 4A Description The MTN4N60AFP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r

 7.1. Size:286K  cystek
 mtn4n60fp.pdf pdf_icon

MTN4N60AE3

Spec. No. : C408FP Issued Date : 2008.09.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2012.11.20 Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 2.1(typ.) MTN4N60FP ID : 4A Description The MTN4N60FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re

 7.2. Size:320K  cystek
 mtn4n60e3.pdf pdf_icon

MTN4N60AE3

Spec. No. : C408E3 Issued Date : 2010.12.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 2.1(typ.) MTN4N60E3 ID : 4A Description The MTN4N60E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTJD4105C | STB40NF10 | NCE16P07J | 2N4338 | SI1402DH | FDMC8015L | APM4050APUC

 

 
Back to Top

 


 
.