MTN4N65J3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTN4N65J3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для MTN4N65J3
MTN4N65J3 Datasheet (PDF)
mtn4n65j3.pdf
Spec. No. : C797J3 Issued Date : 2011.09.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 3.0(typ.) MTN4N65J3 ID : 4A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and halogen-free package
mtn4n65f3.pdf
Spec. No. : C797F3 Issued Date : 2015.03.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 3 (typ.) MTN4N65F3 ID : 4A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and RoHS compliant package Applications Adapter
mtn4n65fp.pdf
Spec. No. : C797FP Issued Date : 2010.06.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2014.07.28 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS : 650V RDS(ON) : 3 (typ.) MTN4N65FP ID : 4A Description The MTN4N65FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-
mtn4n65i3.pdf
Spec. No. : C797I3 Issued Date : 2010.03.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.18 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 3.0(typ.) MTN4N65I3 ID : 4A Description The MTN4N65I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re
Другие MOSFET... MTN4N60AE3 , MTN4N60AFP , MTN4N60E3 , MTN4N60FP , MTN4N60I3 , MTN4N60J3 , MTN4N65FP , MTN4N65I3 , 7N65 , MTN4N70I3 , MTN50N06E3 , MTN540J3 , MTN5N50E3 , MTN5N50FP , MTN5N50I3 , MTN5N50J3 , MTN5N60E3 .
History: MTN50N06E3 | SPP04N60S5
History: MTN50N06E3 | SPP04N60S5
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565





