MTN5N50E3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTN5N50E3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
MTN5N50E3 Datasheet (PDF)
mtn5n50e3.pdf

Spec. No. : C740E3 Issued Date : 2009.09.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 500V RDS(ON) : 1.5 MTN5N50E3 ID : 4.5A Description The MTN5N50E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cos
mtn5n50fp.pdf

Spec. No. : C740FP Issued Date : 2011.04.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.01.10 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 500V RDS(ON) max. : 1.6 MTN5N50FP ID : 4.5A Description The MTN5N50FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r
mtn5n50j3.pdf

Spec. No. : C740J3 Issued Date : 2010.06.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 500V RDS(ON) max. : 1.6 MTN5N50J3 ID : 4.5A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Applications
mtn5n50i3.pdf

Spec. No. : C740I3 Issued Date : 2010.06.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.11.10 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 500V RDS(ON) max. : 1.6 MTN5N50I3 ID : 4.5A Description The MTN5N50I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: SM2425PSAN | 2SK1751 | HMS10N60K | PHX7N60E | AP30H50Q | FTK138D | IXFP18N65X2
History: SM2425PSAN | 2SK1751 | HMS10N60K | PHX7N60E | AP30H50Q | FTK138D | IXFP18N65X2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087