MTN6515F3 - аналоги и даташиты транзистора

 

MTN6515F3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTN6515F3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для MTN6515F3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN6515F3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  cystek
 mtn6515f3.pdf pdf_icon

MTN6515F3

Spec. No. : C739F3 Issued Date : 2012.06.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTN6515F3 ID 20ARDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 66m(typ) RDS(ON)@VGS=5V, ID=10A 64m(typ) RDS(ON)@VGS=3V, ID=3A 66m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating pack

 7.1. Size:264K  cystek
 mtn6515j3.pdf pdf_icon

MTN6515F3

Spec. No. : C739J3 Issued Date : 2009.10.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.07.07 Page No. : 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTN6515J3 ID 20ARDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 60m(typ) RDS(ON)@VGS=5V, ID=10A 59m(typ) RDS(ON)@VGS=3V, ID=3A 60m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead

 7.2. Size:234K  cystek
 mtn6515e3.pdf pdf_icon

MTN6515F3

Spec. No. : C739E3 Issued Date : 2009.10.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.10.18 Page No. : 1/6 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTN6515E3 ID 20A65m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating Equivalent Circuit Outline TO-220 MTN6515E3GGate DDrain SS

 7.3. Size:357K  cystek
 mtn6515h8.pdf pdf_icon

MTN6515F3

Spec. No. : C739H8 Issued Date : 2009.12.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.06.28 Page No. : 1/8 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTN6515H8ID 20ARDSON(max) 65m Description The MTN6515H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTN5N50J3 , MTN5N60E3 , MTN5N60FP , MTN5N60I3 , MTN5N60J3 , MTN5N65FP , MTN60NF06LJ3 , MTN6515E3 , AON7410 , MTN6515H8 , MTN6515J3 , MTN6680Q8 , MTN6N65FP , MTN6N70FP , MTN7000A3 , MTN7000ZA3 , MTN7000ZHA3 .

 

 
Back to Top

 


 
.