MTN6515F3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN6515F3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для MTN6515F3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN6515F3 даташит

 ..1. Size:283K  cystek
 mtn6515f3.pdf pdf_icon

MTN6515F3

Spec. No. C739F3 Issued Date 2012.06.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60V MTN6515F3 ID 20A RDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 66m (typ) RDS(ON)@VGS=5V, ID=10A 64m (typ) RDS(ON)@VGS=3V, ID=3A 66m (typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating pack

 7.1. Size:264K  cystek
 mtn6515j3.pdf pdf_icon

MTN6515F3

Spec. No. C739J3 Issued Date 2009.10.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.07.07 Page No. 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTN6515J3 ID 20A RDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 60m (typ) RDS(ON)@VGS=5V, ID=10A 59m (typ) RDS(ON)@VGS=3V, ID=3A 60m (typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead

 7.2. Size:234K  cystek
 mtn6515e3.pdf pdf_icon

MTN6515F3

Spec. No. C739E3 Issued Date 2009.10.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.10.18 Page No. 1/6 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTN6515E3 ID 20A 65m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating Equivalent Circuit Outline TO-220 MTN6515E3 G Gate D Drain S S

 7.3. Size:357K  cystek
 mtn6515h8.pdf pdf_icon

MTN6515F3

Spec. No. C739H8 Issued Date 2009.12.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.06.28 Page No. 1/8 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTN6515H8 ID 20A RDSON(max) 65m Description The MTN6515H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTN5N50J3, MTN5N60E3, MTN5N60FP, MTN5N60I3, MTN5N60J3, MTN5N65FP, MTN60NF06LJ3, MTN6515E3, SPP20N60C3, MTN6515H8, MTN6515J3, MTN6680Q8, MTN6N65FP, MTN6N70FP, MTN7000A3, MTN7000ZA3, MTN7000ZHA3