MTN6N70FP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN6N70FP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.23 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для MTN6N70FP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN6N70FP даташит

 ..1. Size:274K  cystek
mtn6n70fp.pdfpdf_icon

MTN6N70FP

Spec. No. C597FP Issued Date 2010.01.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.10.24 Page No. 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 700V RDS(ON) 1.23 (typ.) MTN6N70FP ID 6A Description The MTN6N70FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-

 9.1. Size:276K  cystek
mtn6n65fp.pdfpdf_icon

MTN6N70FP

Spec. No. C597FP Issued Date 2010.01.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.01.13 Page No. 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V RDS(ON) 1.23 (typ.) MTN6N65FP ID 6A Description The MTN6N65FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-

Другие IGBT... MTN5N65FP, MTN60NF06LJ3, MTN6515E3, MTN6515F3, MTN6515H8, MTN6515J3, MTN6680Q8, MTN6N65FP, 12N60, MTN7000A3, MTN7000ZA3, MTN7000ZHA3, MTN7002N3, MTN7002S3, MTN7002ZAS3, MTN7002ZHN3, MTN7002ZHS3