MTN6N70FP. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MTN6N70FP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.23 Ohm
Тип корпуса: TO-220FP
Аналог (замена) для MTN6N70FP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MTN6N70FP даташит
mtn6n70fp.pdf
Spec. No. C597FP Issued Date 2010.01.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.10.24 Page No. 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 700V RDS(ON) 1.23 (typ.) MTN6N70FP ID 6A Description The MTN6N70FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-
mtn6n65fp.pdf
Spec. No. C597FP Issued Date 2010.01.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.01.13 Page No. 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V RDS(ON) 1.23 (typ.) MTN6N65FP ID 6A Description The MTN6N65FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-
Другие IGBT... MTN5N65FP, MTN60NF06LJ3, MTN6515E3, MTN6515F3, MTN6515H8, MTN6515J3, MTN6680Q8, MTN6N65FP, 12N60, MTN7000A3, MTN7000ZA3, MTN7000ZHA3, MTN7002N3, MTN7002S3, MTN7002ZAS3, MTN7002ZHN3, MTN7002ZHS3
History: FCPF7N60YDTU
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830


