MTN7451J3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MTN7451J3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 128 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для MTN7451J3
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MTN7451J3 даташит
mtn7451j3.pdf
Spec. No. C841J3 Issued Date 2012.05.04 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTN7451J3 ID 24A RDS(ON)@VGS=10V, ID=4A 54m (typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=2A 57m (typ) Features Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant
mtn7451q8.pdf
Spec. No. C841Q8 Issued Date 2012.06.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2016.04.18 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTN7451Q8 ID @ TA=25 C, VGS=10V 4.5A RDS(ON)@VGS=10V, ID=4.5A 55 m (typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=3.3A 59 m (typ) RDS(ON)@VGS=5V, ID=2A 65 m (typ) Description The MTN7451Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFE
mtn7478q8.pdf
Spec. No. C925Q8 Issued Date 2014.02.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 60V MTN7478Q8 ID 7A RDSON@VGS=10V, ID=7A 14m (typ.) RDSON@VGS=4.5V, ID=5A 16m (typ.) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt rating Rep
Другие IGBT... MTN7000ZHA3, MTN7002N3, MTN7002S3, MTN7002ZAS3, MTN7002ZHN3, MTN7002ZHS3, MTN7002ZN3, MTN7002ZS3, TK10A60D, MTN7451Q8, MTN7478Q8, MTN7N60E3, MTN7N60FP, MTN7N65FP, MTN8N50E3, MTN8N50FP, MTN8N60E3
History: 12N80G-TC3-T | 13N50G-TA3-T
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06 | mje350



