MTN8N50FP. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MTN8N50FP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.78 Ohm
Тип корпуса: TO-220FP
Аналог (замена) для MTN8N50FP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MTN8N50FP даташит
mtn8n50fp.pdf
Spec. No. C720FP Issued Date 2009.10.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.03.30 Page No. 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 500V RDS(ON) 0.78 typ. MTN8N50FP ID 8A Description The MTN8N50FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r
mtn8n50e3.pdf
Spec. No. C742E3 Issued Date 2009.10.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.03.21 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 500V RDS(ON) 0.85 (max) MTN8N50E3 ID 8A Description The MTN8N50E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-res
mtn8n60e3.pdf
Spec. No. C409E3-A Issued Date 2009.08.04 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.08.13 Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V @Tj=150 RDS(ON) 1.2 (max.) MTN8N60E3 ID 7.5A Description The MTN8N60E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device des
mtn8n70fp.pdf
Spec. No. C727FP Issued Date 2009.06.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.10.08 Page No. 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 700V RDS(ON) 1.2 (typ.) MTN8N70FP ID 7.5A Description The MTN8N70FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r
Другие IGBT... MTN7002ZS3, MTN7451J3, MTN7451Q8, MTN7478Q8, MTN7N60E3, MTN7N60FP, MTN7N65FP, MTN8N50E3, 10N65, MTN8N60E3, MTN8N60FP, MTN8N65E3, MTN8N65EA, MTN8N65FP, MTN8N70FP, MTN9240J3, MTN9971J3
History: 10N65KL-TF3-T | 2N2608 | CTB06N005
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent









