Справочник MOSFET. MTN8N60FP

 

MTN8N60FP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN8N60FP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.08 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN8N60FP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:285K  cystek
 mtn8n60fp.pdf pdf_icon

MTN8N60FP

Spec. No. : C409FP-A Issued Date : 2009.04.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.01.13 Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDSON(TYP) : 1.08 MTN8N60FP ID : 7.5A Description The MTN8N60FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on

 7.1. Size:287K  cystek
 mtn8n60e3.pdf pdf_icon

MTN8N60FP

Spec. No. : C409E3-A Issued Date : 2009.08.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2009.08.13 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V @Tj=150 RDS(ON) : 1.2 (max.) MTN8N60E3 ID : 7.5A Description The MTN8N60E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device des

 8.1. Size:250K  cystek
 mtn8n65ea.pdf pdf_icon

MTN8N60FP

Spec. No. : C727EA Issued Date : 2010.12.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.12.29 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) :1.1(typ.) MTN8N65EA ID : 7.5A Description The MTN8N65EA is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re

 8.2. Size:237K  cystek
 mtn8n65e3.pdf pdf_icon

MTN8N60FP

Spec. No. : C727E3 Issued Date : 2010.08.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 1.2(typ.) MTN8N65E3 ID : 7.5A Description The MTN8N65E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: RQ7E055AT | AO6804A | OSG60R340FT3F | BLF7G24L-140 | WMJ38N60C2 | UF830G-TN3-R | FIR6N40FG

 

 
Back to Top

 


 
.