MTN8N65E3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTN8N65E3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
trⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
MTN8N65E3 Datasheet (PDF)
mtn8n65e3.pdf
Spec. No. : C727E3 Issued Date : 2010.08.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 1.2(typ.) MTN8N65E3 ID : 7.5A Description The MTN8N65E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance a
mtn8n65ea.pdf
Spec. No. : C727EA Issued Date : 2010.12.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.12.29 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) :1.1(typ.) MTN8N65EA ID : 7.5A Description The MTN8N65EA is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re
mtn8n65fi.pdf
Spec. No. : C727FI Issued Date : 2012.09.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2015.03.16 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 650VMTN8N65FI ID @ VGS=10V, TC=25C 7.5A 1.2 RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=3.75A Description The MTN8N65FI is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, r
mtn8n65fp.pdf
Spec. No. : C727FP Issued Date : 2009.06.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.10.08 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) :1.2(typ.) MTN8N65FP ID : 7.5A Description The MTN8N65FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IRFH4251D | 2N6790JANTXV
History: IRFH4251D | 2N6790JANTXV
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918