MTN8N65FP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN8N65FP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для MTN8N65FP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN8N65FP даташит

 ..1. Size:364K  cystek
 mtn8n65fp.pdf pdf_icon

MTN8N65FP

Spec. No. C727FP Issued Date 2009.06.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.10.08 Page No. 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V RDS(ON) 1.2 (typ.) MTN8N65FP ID 7.5A Description The MTN8N65FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r

 6.1. Size:326K  cystek
 mtn8n65fi.pdf pdf_icon

MTN8N65FP

Spec. No. C727FI Issued Date 2012.09.26 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2015.03.16 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V MTN8N65FI ID @ VGS=10V, TC=25 C 7.5A 1.2 RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=3.75A Description The MTN8N65FI is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, r

 7.1. Size:250K  cystek
 mtn8n65ea.pdf pdf_icon

MTN8N65FP

Spec. No. C727EA Issued Date 2010.12.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.12.29 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V RDS(ON) 1.1 (typ.) MTN8N65EA ID 7.5A Description The MTN8N65EA is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re

 7.2. Size:237K  cystek
 mtn8n65e3.pdf pdf_icon

MTN8N65FP

Spec. No. C727E3 Issued Date 2010.08.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V RDS(ON) 1.2 (typ.) MTN8N65E3 ID 7.5A Description The MTN8N65E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTN7N60FP, MTN7N65FP, MTN8N50E3, MTN8N50FP, MTN8N60E3, MTN8N60FP, MTN8N65E3, MTN8N65EA, 18N50, MTN8N70FP, MTN9240J3, MTN9971J3, MTN9973J3, MTNK1N3, MTNK1S3, MTNK2N3, MTNK2S3