MTN8N70FP. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MTN8N70FP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO-220FP
Аналог (замена) для MTN8N70FP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MTN8N70FP даташит
mtn8n70fp.pdf
Spec. No. C727FP Issued Date 2009.06.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.10.08 Page No. 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 700V RDS(ON) 1.2 (typ.) MTN8N70FP ID 7.5A Description The MTN8N70FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r
mtn8n60e3.pdf
Spec. No. C409E3-A Issued Date 2009.08.04 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.08.13 Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V @Tj=150 RDS(ON) 1.2 (max.) MTN8N60E3 ID 7.5A Description The MTN8N60E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device des
mtn8n50fp.pdf
Spec. No. C720FP Issued Date 2009.10.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.03.30 Page No. 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 500V RDS(ON) 0.78 typ. MTN8N50FP ID 8A Description The MTN8N50FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r
mtn8n60fp.pdf
Spec. No. C409FP-A Issued Date 2009.04.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.01.13 Page No. 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 600V RDSON(TYP) 1.08 MTN8N60FP ID 7.5A Description The MTN8N60FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on
Другие IGBT... MTN7N65FP, MTN8N50E3, MTN8N50FP, MTN8N60E3, MTN8N60FP, MTN8N65E3, MTN8N65EA, MTN8N65FP, 20N50, MTN9240J3, MTN9971J3, MTN9973J3, MTNK1N3, MTNK1S3, MTNK2N3, MTNK2S3, MTNK3C3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733 | irf9630 | mj2955









