MTNK3C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTNK3C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 7.7 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
Тип корпуса: SOT-523
MTNK3C3 Datasheet (PDF)
mtnk3c3.pdf
Spec. No. : C447C3 Issued Date : 2011.09.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20V ID 100mAMTNK3C3 RDSON 3 Description Low voltage drive, 1.8V. Easy to use in parallel. High speed switching. ESD protected device. Pb-free package. Symbol Outline MTNK3C3 SOT-523 D S G G
mtnk3s3.pdf
Spec. No. : C447S3 Issued Date : 2009.04.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.06.18 Page No. : 1/6 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20V ID 100mAMTNK3S3 RDSON 3 Description Low voltage drive, 1.8V Easy to use in parallel High speed switching ESD protected device Pb-free package Symbol Outline MTNK3S3 SOT-323 D SG G
mtnk3w3.pdf
Spec. No. : C447W3 Issued Date : 2010.07.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20V ID 100mAMTNK3W3 RDSON 3 Description Low voltage drive, 1.8V Easy to use in parallel High speed switching ESD protected device Pb-free package Symbol Outline MTNK3W3 SOT-923 D SG GGate S
mtnk3y3.pdf
Spec. No. : C447Y3 Issued Date : 2011.02.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.10.05 Page No. : 1/6 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20VMTNK3Y3 ID 255mARDSON@VGS=4.5V, ID=255mA 1.7(typ.)RDSON@VGS=2.5V, ID=20mA 2.2(typ.)RDSON@VGS=1.8V, ID=20mA 3.5(typ.)Description Low voltage drive, 1.8V. RDSON@VGS=1.6V, ID=20mA 4.1(typ.) Easy to use in
mtnk3n3.pdf
Spec. No. : C447N3 Issued Date : 2010.08.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.23 Page No. : 1/7 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20V ID 100mAMTNK3N3 RDSON 3 Description Low voltage drive, 1.8V Easy to use in parallel High speed switching ESD protected device Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline
Другие MOSFET... MTN8N70FP , MTN9240J3 , MTN9971J3 , MTN9973J3 , MTNK1N3 , MTNK1S3 , MTNK2N3 , MTNK2S3 , 8205A , MTNK3N3 , MTNK3S3 , MTNK3W3 , MTNK3Y3 , MTNK5C3 , MTNK5N3 , MTNK5S3 , MTNK7S3 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100