MTNK3W3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTNK3W3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.15 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 7.7 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.7 Ohm
Тип корпуса: SOT-923
MTNK3W3 Datasheet (PDF)
mtnk3w3.pdf
Spec. No. : C447W3 Issued Date : 2010.07.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20V ID 100mAMTNK3W3 RDSON 3 Description Low voltage drive, 1.8V Easy to use in parallel High speed switching ESD protected device Pb-free package Symbol Outline MTNK3W3 SOT-923 D SG GGate S
mtnk3s3.pdf
Spec. No. : C447S3 Issued Date : 2009.04.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.06.18 Page No. : 1/6 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20V ID 100mAMTNK3S3 RDSON 3 Description Low voltage drive, 1.8V Easy to use in parallel High speed switching ESD protected device Pb-free package Symbol Outline MTNK3S3 SOT-323 D SG G
mtnk3y3.pdf
Spec. No. : C447Y3 Issued Date : 2011.02.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.10.05 Page No. : 1/6 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20VMTNK3Y3 ID 255mARDSON@VGS=4.5V, ID=255mA 1.7(typ.)RDSON@VGS=2.5V, ID=20mA 2.2(typ.)RDSON@VGS=1.8V, ID=20mA 3.5(typ.)Description Low voltage drive, 1.8V. RDSON@VGS=1.6V, ID=20mA 4.1(typ.) Easy to use in
mtnk3c3.pdf
Spec. No. : C447C3 Issued Date : 2011.09.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20V ID 100mAMTNK3C3 RDSON 3 Description Low voltage drive, 1.8V. Easy to use in parallel. High speed switching. ESD protected device. Pb-free package. Symbol Outline MTNK3C3 SOT-523 D S G G
mtnk3n3.pdf
Spec. No. : C447N3 Issued Date : 2010.08.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.23 Page No. : 1/7 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20V ID 100mAMTNK3N3 RDSON 3 Description Low voltage drive, 1.8V Easy to use in parallel High speed switching ESD protected device Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
