MTNK3W3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTNK3W3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 7.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: SOT-923

Аналог (замена) для MTNK3W3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTNK3W3 даташит

 ..1. Size:263K  cystek
 mtnk3w3.pdf pdf_icon

MTNK3W3

Spec. No. C447W3 Issued Date 2010.07.26 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20V ID 100mA MTNK3W3 RDSON 3 Description Low voltage drive, 1.8V Easy to use in parallel High speed switching ESD protected device Pb-free package Symbol Outline MTNK3W3 SOT-923 D S G G Gate S

 9.1. Size:262K  cystek
 mtnk3s3.pdf pdf_icon

MTNK3W3

Spec. No. C447S3 Issued Date 2009.04.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.06.18 Page No. 1/6 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20V ID 100mA MTNK3S3 RDSON 3 Description Low voltage drive, 1.8V Easy to use in parallel High speed switching ESD protected device Pb-free package Symbol Outline MTNK3S3 SOT-323 D S G G

 9.2. Size:296K  cystek
 mtnk3y3.pdf pdf_icon

MTNK3W3

Spec. No. C447Y3 Issued Date 2011.02.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.10.05 Page No. 1/6 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20V MTNK3Y3 ID 255mA RDSON@VGS=4.5V, ID=255mA 1.7 (typ.) RDSON@VGS=2.5V, ID=20mA 2.2 (typ.) RDSON@VGS=1.8V, ID=20mA 3.5 (typ.) Description Low voltage drive, 1.8V. RDSON@VGS=1.6V, ID=20mA 4.1 (typ.) Easy to use in

 9.3. Size:268K  cystek
 mtnk3c3.pdf pdf_icon

MTNK3W3

Spec. No. C447C3 Issued Date 2011.09.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20V ID 100mA MTNK3C3 RDSON 3 Description Low voltage drive, 1.8V. Easy to use in parallel. High speed switching. ESD protected device. Pb-free package. Symbol Outline MTNK3C3 SOT-523 D S G G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTN9973J3, MTNK1N3, MTNK1S3, MTNK2N3, MTNK2S3, MTNK3C3, MTNK3N3, MTNK3S3, STP65NF06, MTNK3Y3, MTNK5C3, MTNK5N3, MTNK5S3, MTNK7S3, MTNN18N03Q8, MTNN20N03Q8, MTNN8451KQ8