Справочник MOSFET. MTNN8451KQ8

 

MTNN8451KQ8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTNN8451KQ8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2(2) W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8(10.2) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.2(4.7) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 79(149) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015(0.011) Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для MTNN8451KQ8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTNN8451KQ8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:354K  cystek
 mtnn8451kq8.pdf pdf_icon

MTNN8451KQ8

Spec. No. : C558Q8 Issued Date : 2012.04.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.04.30 Page No. : 1/12 Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET FET1 FET 2MTNN8451KQ8 BVDSS 30V 30VID 6.8A 10.2ARDSON(TYP.)@VGS=10V 15m 11m RDSON(TYP.)@VGS=4.5V 23m 18m Description The MTNN8451KQ8 uses advanced trench technology to provide excellent R and low gate

 7.1. Size:351K  cystek
 mtnn8452kq8.pdf pdf_icon

MTNN8451KQ8

Spec. No. : C559Q8 Issued Date : 2012.04.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.04.30 Page No. : 1/12 Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET FET1 FET 2MTNN8452KQ8 BVDSS 30V 30VID 8A 10.2ARDSON(TYP.)@VGS=10V 11m 11m RDSON(TYP.)@VGS=4.5V 18m 18m Description The MTNN8452KQ8 uses advanced trench technology to provide excellent R and low gate ch

 7.2. Size:354K  cystek
 mtnn8453kq8.pdf pdf_icon

MTNN8451KQ8

Spec. No. : C560Q8 Issued Date : 2012.04.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET FET1 FET 2MTNN8453KQ8 BVDSS 30V 30VID 6.8A 8.9ARDSON(TYP.)@VGS=10V 15m 15m RDSON(TYP.)@VGS=4.5V 23m 23m Description The MTNN8453KQ8 uses advanced trench technology to provide excellent R and low gate charge. DS

Другие MOSFET... MTNK3W3 , MTNK3Y3 , MTNK5C3 , MTNK5N3 , MTNK5S3 , MTNK7S3 , MTNN18N03Q8 , MTNN20N03Q8 , 8N60 , MTNN8452KQ8 , MTNN8453KQ8 , MTP1013C3 , MTP1013S3 , MTP1067C6 , MTP1406J3 , MTP1406L3 , MTP1406M3 .

History: SPP11N80C3 | FTK1N60P | SWP085R06V7T | 2SK3313 | AOI4S60

 

 
Back to Top

 


 
.