Справочник MOSFET. MTNN8451KQ8

 

MTNN8451KQ8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTNN8451KQ8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2(2) W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8(10.2) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.2(4.7) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 79(149) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015(0.011) Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для MTNN8451KQ8

 

 

MTNN8451KQ8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:354K  cystek
 mtnn8451kq8.pdf

MTNN8451KQ8 MTNN8451KQ8

Spec. No. : C558Q8 Issued Date : 2012.04.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.04.30 Page No. : 1/12 Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET FET1 FET 2MTNN8451KQ8 BVDSS 30V 30VID 6.8A 10.2ARDSON(TYP.)@VGS=10V 15m 11m RDSON(TYP.)@VGS=4.5V 23m 18m Description The MTNN8451KQ8 uses advanced trench technology to provide excellent R and low gate

 7.1. Size:351K  cystek
 mtnn8452kq8.pdf

MTNN8451KQ8 MTNN8451KQ8

Spec. No. : C559Q8 Issued Date : 2012.04.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.04.30 Page No. : 1/12 Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET FET1 FET 2MTNN8452KQ8 BVDSS 30V 30VID 8A 10.2ARDSON(TYP.)@VGS=10V 11m 11m RDSON(TYP.)@VGS=4.5V 18m 18m Description The MTNN8452KQ8 uses advanced trench technology to provide excellent R and low gate ch

 7.2. Size:354K  cystek
 mtnn8453kq8.pdf

MTNN8451KQ8 MTNN8451KQ8

Spec. No. : C560Q8 Issued Date : 2012.04.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET FET1 FET 2MTNN8453KQ8 BVDSS 30V 30VID 6.8A 8.9ARDSON(TYP.)@VGS=10V 15m 15m RDSON(TYP.)@VGS=4.5V 23m 23m Description The MTNN8453KQ8 uses advanced trench technology to provide excellent R and low gate charge. DS

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top