MTP2603N6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP2603N6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 167 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm

Тип корпуса: SOT-26

Аналог (замена) для MTP2603N6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP2603N6 даташит

 ..1. Size:397K  cystek
 mtp2603n6.pdf pdf_icon

MTP2603N6

Spec. No. C394N6 Issued Date 2007.12.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.10.31 Page No. 1/7 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTP2603N6 Description The MTP2603N6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SOT-26 pac

 7.1. Size:378K  cystek
 mtp2603q6.pdf pdf_icon

MTP2603N6

Spec. No. C394Q6 Issued Date 2006.11.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/5 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTP2603Q6 Description The MTP2603Q6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TSOP-6 package is u

 7.2. Size:347K  cystek
 mtp2603g6.pdf pdf_icon

MTP2603N6

Spec. No. C394G6 Issued Date 2006.11.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.11.21 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20V ID -5A MTP2603G6 RDSON@VGS=-10V, ID=-4.5A 35m (typ.) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4.2A 41m (typ.) RDSON@VGS=-2.5V, ID=-2A 55m (typ.) RDSON@VGS=-1.8V, ID=-1A 60m (typ.) Description The MTP2603G6 is a P-channel enhancemen

 8.1. Size:686K  jiejie micro
 jmtp260n03d.pdf pdf_icon

MTP2603N6

JMTP260N03D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 8A Load Switch RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTP2303N3, MTP2305N3, MTP2311M3, MTP2311N3, MTP2311V8, MTP2317N3, MTP2402Q8, MTP2603G6, IRF640, MTP2603Q6, MTP2611V8, MTP2955L3, MTP3001N3, MTP3401N3, MTP3403AN3, MTP3403KN3, MTP3403N3