MTP2955L3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTP2955L3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
MTP2955L3 Datasheet (PDF)
mtp2955l3.pdf

Spec. No. : C733L3 Issued Date : 2012.02.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2014.07.25 Page No. : 1/8 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60V MTP2955L3 ID -4.8A 75m (typ.) RDSON@VGS=-10V, ID=-2.4A RDSON@VGS=-10V, ID=-1.5A 74m (typ.) Features 70m (typ.) RDSON@VGS=-10V, ID=-0.75A Simple Drive Requirement RDSON@VGS=-4.5V, ID=-1.7A 99m
mtp2955e.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP2955E/DDesigner's Data SheetMTP2955ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorPChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS EFET is designed to withstand high12 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. The new energy60 VOLTSefficie
mtp2955erev2.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP2955E/DDesigner's Data SheetMTP2955ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorPChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS EFET is designed to withstand high12 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. The new energy60 VOLTSefficie
mtp1n100 mtp1n55 mtp1n95 mtp20p06 mtp2955 mtp2n55 mtp2n60 mtp2n85 mtp2p45 mtp2p50 mtp3n100 mtp3n75 mtp3n80 mtp3n95 mtp3p25 mtp4n85.pdf

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: BSZ018N04LS6 | WMM053N10HGS | IXTJ3N150 | AOTF190A60L | FQD3N60TM | SI7868ADP | AUIRF2804S-7P
History: BSZ018N04LS6 | WMM053N10HGS | IXTJ3N150 | AOTF190A60L | FQD3N60TM | SI7868ADP | AUIRF2804S-7P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout