Справочник MOSFET. MTP3J15Y3

 

MTP3J15Y3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP3J15Y3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-723
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP3J15Y3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:335K  cystek
mtp3j15y3.pdfpdf_icon

MTP3J15Y3

Spec. No. : C465Y3 Issued Date : 2012.04.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.05.19 Page No. : 1/ 8 50V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -50VMTP3J15Y3 ID -130mA 8 (MAX) RDSON@-10V 10 (MAX) RDSON@-5V 12 (MAX) RDSON@-4V Features 32 (MAX) RDSON@-2.5V Low gate charge Excellent thermal and electrical capabilities Pb

 7.1. Size:302K  cystek
mtp3j15n3.pdfpdf_icon

MTP3J15Y3

Spec. No. : C465N3 Issued Date : 2009.03.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.05.18 Page No. : 1/ 8 50V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -50VMTP3J15N3 ID -130mARDSON@VGS=-10V, ID=-100mA 4.5(typ) RDSON@VGS=-5V, ID=-100mA 6(typ) Features Low gate charge Excellent thermal and electrical capabilities Pb-free package Equivalent Circuit

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: KP511A | STB10NK60ZT4 | SSF65R420S2 | BUK455-100B | SI7413DN | FDG6320C | NCEAP016N10LL

 

 
Back to Top

 


 
.