Справочник MOSFET. MTP3J15Y3

 

MTP3J15Y3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP3J15Y3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-723
 

 Аналог (замена) для MTP3J15Y3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP3J15Y3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:335K  cystek
 mtp3j15y3.pdf pdf_icon

MTP3J15Y3

Spec. No. : C465Y3 Issued Date : 2012.04.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.05.19 Page No. : 1/ 8 50V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -50VMTP3J15Y3 ID -130mA 8 (MAX) RDSON@-10V 10 (MAX) RDSON@-5V 12 (MAX) RDSON@-4V Features 32 (MAX) RDSON@-2.5V Low gate charge Excellent thermal and electrical capabilities Pb

 7.1. Size:302K  cystek
 mtp3j15n3.pdf pdf_icon

MTP3J15Y3

Spec. No. : C465N3 Issued Date : 2009.03.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.05.18 Page No. : 1/ 8 50V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -50VMTP3J15N3 ID -130mARDSON@VGS=-10V, ID=-100mA 4.5(typ) RDSON@VGS=-5V, ID=-100mA 6(typ) Features Low gate charge Excellent thermal and electrical capabilities Pb-free package Equivalent Circuit

Другие MOSFET... MTP3001N3 , MTP3401N3 , MTP3403AN3 , MTP3403KN3 , MTP3403N3 , MTP3413N3 , MTP3415KN3 , MTP3J15N3 , IRF9540 , MTP3LP01N3 , MTP3LP01S3 , MTP3LP01Y3 , MTP405CJ3 , MTP405J3 , MTP4060J3 , MTP4151N3 , MTP4403Q8 .

History: BSO300N03S | 2P829J

 

 
Back to Top

 


 
.