MTP3LP01S3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTP3LP01S3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.23 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 0.78 nC
Время нарастания (tr): 12.8 ns
Выходная емкость (Cd): 11.9 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3 Ohm
Тип корпуса: SOT-323
Аналог (замена) для MTP3LP01S3
MTP3LP01S3 Datasheet (PDF)
mtp3lp01s3.pdf
Spec. No. : 794N3 Issued Date : 2011.03.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.09 Page No. : 1/ 9 30V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30V ID -230mA MTP3LP01S3 3@-4V 4.6@-2.5V RDSON(typ) 10.9@-1.5V Features Ultra high speed switching. Low gate charge. 2.5V drive. Pb-free package. Equivalent Circuit Outline MTP3
mtp3lp01n3.pdf
Spec. No. : 794N3 Issued Date : 2010.06.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.01.17 Page No. : 1/ 9 30V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30V ID -230mA MTP3LP01N3 3@-4V 4.6@-2.5V RDSON(typ) 10.9@-1.5V Features Ultra high speed switching. Low gate charge. 2.5V drive. Pb-free lead plating and halogen-free package. Equ
mtp3lp01y3.pdf
Spec. No. : 794Y3 Issued Date : 2011.12.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 30V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30V ID -230mA MTP3LP01Y3 3@-4V 4.6@-2.5V RDSON(typ) 10.9@-1.5V Features Ultra high speed switching. Low gate charge. 2.5V drive. Pb-free package lead plating and halogen-free package. Equiva
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
