Справочник MOSFET. MTP405J3

 

MTP405J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTP405J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 137 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для MTP405J3

 

 

MTP405J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:257K  cystek
 mtp405j3.pdf

MTP405J3 MTP405J3

Spec. No. : C386J3 Issued Date : 2007.06.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.25 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTP405J3 ID -18ARDS(ON)@VGS=-10V, ID=-18A 21m(typ)RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-10A 33m(typ)Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead platin

 8.1. Size:362K  cystek
 mtp405cj3.pdf

MTP405J3 MTP405J3

Spec. No. : C386J3 Issued Date : 2007.06.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.14 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTP405CJ3 ID -34ARDS(ON)@VGS=-10V, ID=-18A 21m(typ)RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-10A 33m(typ)Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead plat

 9.1. Size:160K  motorola
 mtp40n10erev1.pdf

MTP405J3 MTP405J3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP40N10E/DAdvance Data SheetMTP40N10ETMOS E-FET.Power Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS EFET is designed to withstand high40 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. The new energy100 VOLTSefficient design also offers a drain

 9.2. Size:165K  motorola
 mtp40n10e.pdf

MTP405J3 MTP405J3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP40N10E/DAdvance Data SheetMTP40N10ETMOS E-FET.Power Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS EFET is designed to withstand high40 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. The new energy100 VOLTSefficient design also offers a drain

 9.3. Size:319K  cystek
 mtp4060j3.pdf

MTP405J3 MTP405J3

Spec. No. : C563J3 Issued Date : 2012.01.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.10.11 Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100VMTP4060J3 ID -27A36m(typ.)RDSON@VGS=-10V, ID=-20A 41m(typ.)Features RDSON@VGS=-4.5V, ID=-18A Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free packag

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NCE0130KA

 

 
Back to Top