Справочник MOSFET. MTP4403SQ8

 

MTP4403SQ8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP4403SQ8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP4403SQ8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:621K  cystek
mtp4403sq8.pdfpdf_icon

MTP4403SQ8

Spec. No. : C804Q8 Issued Date : 2009.12.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.21 Page No. : 1/7 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -20VMTP4403SQ8 RDSON(MAX) 46m ID -6.1ADescription The MTP4403SQ8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistan

 7.1. Size:622K  cystek
mtp4403q8.pdfpdf_icon

MTP4403SQ8

Spec. No. : C791Q8 Issued Date : 2010.07.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.21 Page No. : 1/7 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -30VMTP4403Q8 RDSON(MAX) 50m ID -6.1ADescription The MTP4403Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

 8.1. Size:284K  cystek
mtp4409h8.pdfpdf_icon

MTP4403SQ8

Spec. No. : C808H8 Issued Date : 2013.09.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTP4409H8ID -15A7.3m VGS=-10V, ID=-15A RDSON(TYP) 11m VGS=-4.5V, ID=-10A Description The MTP4409H8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast swi

 8.2. Size:336K  cystek
mtp4409q8.pdfpdf_icon

MTP4403SQ8

Spec. No. : C808Q8 Issued Date : 2012.04.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.05.16 Page No. : 1/9 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -30V MTP4409Q8 ID -15A RDSON@VGS=-10V, ID=-15A 7.7m(typ) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-10A 11.4m(typ)Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-free and Halogen-free

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STN4526 | 2SK1496-Z | PDS4906 | PMV65XPEA | PDC3960X | IRFD014PBF | RFP12N18

 

 
Back to Top

 


 
.