MTP452L3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP452L3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 222 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для MTP452L3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP452L3 даташит

 ..1. Size:358K  cystek
mtp452l3.pdfpdf_icon

MTP452L3

Spec. No. C400L3 Issued Date 2009.06.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTP452L3 RDSON(MAX) 55m ID -6A Features Simple Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead plating package Symbol Outline SOT-223 MTP452L3 D S G Gate D

 8.1. Size:278K  cystek
mtp452m3.pdfpdf_icon

MTP452L3

Spec. No. C426M3 Issued Date 2012.02.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 30V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTP452M3 Features Single Drive Requirement Low On-resistance, RDS(ON)=50m (typ.)@VGS=-10V, ID=-3.2A RDS(ON)=72m (typ.)@VGS=-4.5V, ID=-2.6A Ultra High Speed Switching Pb-free package Symbol Outline MTP452M3 SOT-89

 9.1. Size:1691K  motorola
mtm45n05e mtp45n05e.pdfpdf_icon

MTP452L3

Другие IGBT... MTP4409Q8, MTP4411AQ8, MTP4411M3, MTP4411Q8, MTP4413Q8, MTP4423Q8, MTP4435V8, MTP4463Q8, SKD502T, MTP452M3, MTP4835AQ8, MTP4835L3, MTP4835Q8, MTP4835V8, MTP5103J3, MTP5103N3, MTP5210F3