MTP4835L3
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTP4835L3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 13
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 251
nC
trⓘ -
Время нарастания: 5
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 141
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021
Ohm
Тип корпуса:
SOT-223
Аналог (замена) для MTP4835L3
MTP4835L3
Datasheet (PDF)
..1. Size:335K cystek
mtp4835l3.pdf Spec. No. : C830L3 Issued Date : 2013.02.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTP4835L3 BVDSS -30VID -10A21m (typ) RDSON@VGS=-10V, ID=-10A 28m (typ) RDSON@VGS=-5V, ID=-7A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package Equivalen
7.1. Size:363K cystek
mtp4835v8.pdf Spec. No. : C830V8 Issued Date : 2013.01.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTP4835V8 ID -33A16m(typ.) RDSON(MAX)@VGS=-10V, ID=-10A 25m(typ.) RDSON(MAX)@VGS=-4.5V, ID=-7A Description The MTP4835V8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of
7.2. Size:305K cystek
mtp4835aq8.pdf Spec. No. : C830Q8 Issued Date : 2012.09.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.30 Page No. : 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -30VMTP4835AQ8 ID -10ARDSON@VGS=-10V, ID=-10A 18m(typ)RDSON@VGS=-4.5V,ID=-6A 27m(typ)Description The MTP4835AQ8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast s
7.3. Size:301K cystek
mtp4835q8.pdf Spec. No. : C830Q8 Issued Date : 2012.06.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -30VMTP4835Q8 ID -10ARDSON@VGS=-10V, ID=-10A 17m(typ)RDSON@VGS=-4.5V,ID=-6A 26m(typ)Description The MTP4835Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, rug
Другие MOSFET... IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
, IRFP440A
, IRFP250
, IRFP442
, IRFP443
, IRFP448
, IRFP450
, IRFP450A
, IRFP450FI
, IRFP450LC
, IRFP451
.