MTP9575L3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTP9575L3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 18 nC
Время нарастания (tr): 5 ns
Выходная емкость (Cd): 165 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.09 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
MTP9575L3 Datasheet (PDF)
mtp9575l3.pdf
Spec. No. : C404L3 Issued Date : 2007.06.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTP9575L3 Features Simple Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free package Symbol Outline SOT-223 MTP9575L3D S GGate D DDrain G SSource Absolute Maximum Ra
mtp9575q8.pdf
Spec. No. : C404Q8 Issued Date : 2008.02.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.21 Page No. : 1/7 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTP9575Q8 Description The MTP9575Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SOP-8 pack
mtp9575j3.pdf
Spec. No. : C404J3 Issued Date : 2008.09.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2009.02.04 Page No. : 1/7 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60VID -15AMTP9575J3 RDSON 90m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-252 MTP9575J3GGate G D S D
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
