AO4264 - аналоги и даташиты транзистора

 

AO4264 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AO4264
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 177 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для AO4264

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4264 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:367K  aosemi
 ao4264.pdf pdf_icon

AO4264

AO426460V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS MV) technology 60V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:2479K  kexin
 ao4264.pdf pdf_icon

AO4264

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO4264 (KO4264)SOP-8 Features VDS (V) = 60V ID = 12 A (VGS = 10V) RDS(ON) 11m (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 13.5m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 60V Gat

 0.1. Size:390K  aosemi
 ao4264e.pdf pdf_icon

AO4264

AO4264ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 13.5A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.2. Size:332K  aosemi
 ao4264c.pdf pdf_icon

AO4264

AO4264CTM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 11A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AO3434A , AO3435 , AO3438 , AO3442 , AO3460 , AO4202 , AO4240 , AO4260 , IRFP064N , AO4266 , AO4286 , AO4292 , AO4302 , AO4304 , AO4310 , AO4312 , AO4314 .

 

 
Back to Top

 


 
.