AO4264. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO4264

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 177 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AO4264

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4264 даташит

 ..1. Size:367K  aosemi
 ao4264.pdf pdf_icon

AO4264

AO4264 60V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS MV) technology 60V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:2479K  kexin
 ao4264.pdf pdf_icon

AO4264

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO4264 (KO4264) SOP-8 Features VDS (V) = 60V ID = 12 A (VGS = 10V) RDS(ON) 11m (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 13.5m (VGS = 4.5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate D G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gat

 0.1. Size:390K  aosemi
 ao4264e.pdf pdf_icon

AO4264

 0.2. Size:332K  aosemi
 ao4264c.pdf pdf_icon

AO4264

AO4264C TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 11A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AO3434A, AO3435, AO3438, AO3442, AO3460, AO4202, AO4240, AO4260, IRFP064N, AO4266, AO4286, AO4292, AO4302, AO4304, AO4310, AO4312, AO4314