Справочник MOSFET. AO4354

 

AO4354 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AO4354
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 898 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для AO4354

 

 

AO4354 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:320K  aosemi
 ao4354.pdf

AO4354 AO4354

AO435430V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 23A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:1826K  kexin
 ao4354.pdf

AO4354 AO4354

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO4354 (KO4354)SOP-8 Features VDS (V) = 30V ID = 23 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 3.7m (VGS = 10V) RDS(ON) 5.3m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 SourceD8 Drain4 GateG S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30V Ga

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top