Справочник MOSFET. AO4407A

 

AO4407A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AO4407A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для AO4407A

 

 

AO4407A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  aosemi
 ao4407a.pdf

AO4407A AO4407A

AO4407A30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AO4407A uses advanced trench technology to VDS = -30Vprovide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge ID = -12A (VGS = -20V)with a 25V gate rating. This device is suitable for use as RDS(ON)

 ..2. Size:1643K  kexin
 ao4407a.pdf

AO4407A AO4407A

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO4407A (KO4407A)SOP-8 Features VDS (V) =-30V ID =-12 A (VGS =-20V)1.50 0.15 RDS(ON) 11m (VGS =-20V) RDS(ON) 13m (VGS =-10V)1 Source 5 Drain RDS(ON) 17m (VGS =-6V)6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Dr

 ..3. Size:830K  cn vbsemi
 ao4407a.pdf

AO4407A AO4407A

AO4407Awww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available0.0125 at VGS = - 10 V - 11.6 TrenchFET Power MOSFET- 30 22 nC 100 % Rg Tested0.0180 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Load SwitchesS - Notebook PCsSO-8- Desktop PCs

 8.1. Size:332K  aosemi
 ao4407c.pdf

AO4407A AO4407A

AO4407C30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -14A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.2. Size:340K  aosemi
 ao4407.pdf

AO4407A AO4407A

AO440730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30VThe AO4407 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=-20V) -12Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=-20V)

 8.3. Size:2315K  kexin
 ao4407.pdf

AO4407A AO4407A

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO4407 SOP-8 Features VDS (V) =-30V ID =-12 A (VGS =-20V)1.50 0.15 RDS(ON) 13m (VGS =-20V)D RDS(ON) 14m (VGS =-10V) D1 Source 5 Drain RDS(ON) 30m (VGS =-5V)6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateGGSS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drai

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top