Справочник MOSFET. AO4613

 

AO4613 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO4613
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2(6.1) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.9(5.7) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110(179) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024(0.037) Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для AO4613

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4613 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  aosemi
ao4613.pdfpdf_icon

AO4613

AO461330V Dual P + N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AO4613 uses advanced trench technology N-Channel P-ChannelMOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low VDS (V) = 30V -30Vgate charge. The complementary MOSFETs may ID = 7.2A (VGS=10V) -6.1A (VGS=10V)be used to form a level shifted high side switch,RDS(ON) RDS(ON)and for a host of other applications.

 ..2. Size:2169K  kexin
ao4613.pdfpdf_icon

AO4613

SMD Type MOSFETComplementary Trench MOSFET AO4613 (KO4613)SOP-8Unit:mm Features N-Channel : VDS (V) = 30VID = 7.2 A (VGS = 10V)1.50 0.15RDS(ON) 24m (VGS = 10V)RDS(ON) 40m (VGS = 4.5V)1 S2 5 D1 P-Channel : 6 D12 G27 D23 S1 VDS (V) = -30V8 D24 G1ID = -6.1 A (VGS = -10V)RDS(ON) 37m (VGS = -10V)RDS(ON) 60m (VGS = -4.

 9.1. Size:214K  aosemi
ao4611.pdfpdf_icon

AO4613

AO461160V Dual P + N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AO4611 uses advanced trench technology N-Channel P-ChannelMOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low VDS (V) = 60V -60Vgate charge. The complementary MOSFETs may ID = 6.3A (VGS=10V) -4.9Abe used to form a level shifted high side switch,RDS(ON)and for a host of other applications.

 9.2. Size:148K  aosemi
ao4617.pdfpdf_icon

AO4613

AO4617Complementary Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO4617 uses advanced trench n-channel p-channeltechnology MOSFETs to provide excellen VDS (V) = 40V -40VRDS(ON) and low gate charge. The ID = 6A (VGS=10V) -5A (VGS = -10V)complementary MOSFETs may be used RDS(ON) RDS(ON) in H-bridge, Inverters and other

Другие MOSFET... AO4566 , AO4568 , AO4576 , AO4578 , AO4588 , AO4606 , AO4611 , AO4612 , 75N75 , AO4614B , AO4616 , AO4618 , AO4620 , AO4622 , AO4627 , AO4629 , AO4706 .

History: SPP22N05 | MSF14N60 | BL30N65-F | STF10N60M2 | 2N65M | PMR290XN | NP20P04SLG

 

 
Back to Top

 


 
.