Справочник MOSFET. AO4614B

 

AO4614B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO4614B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6(5) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.6(8.4) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 82(97) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03(0.045) Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4614B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  aosemi
 ao4614b.pdf pdf_icon

AO4614B

AO4614B40V Dual P + N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryN-Channel P-ChannelThe AO4614B uses advanced trench technology VDS (V) = 40V, -40VMOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gateID = 6A (VGS=10V) -5A (VGS=-10V)charge. The complementary MOSFETs may be usedRDS(ON)in H-bridge, Inverters and other applications.

 ..2. Size:1597K  kexin
 ao4614b.pdf pdf_icon

AO4614B

SMD Type MOSFETComplementary Trench MOSFET AO4614B (KO4614B)SOP-8 Unit:mm Features N-Channel : VDS (V) = 40VID = 6 A (VGS = 10V)1.50 0.15RDS(ON) 30m (VGS = 10V)RDS(ON) 38m (VGS = 4.5V)1 S2 5 D1 P-Channel : 6 D12 G27 D23 S1 VDS (V) = -40V8 D24 G1ID = -5 A (VGS = -10V)RDS(ON) 45m (VGS = -10V)RDS(ON) 63m (VGS = -4.5V)

 8.1. Size:217K  aosemi
 ao4614.pdf pdf_icon

AO4614B

AO461440V Dual P + N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryN-Channel P-ChannelThe AO4614 uses advanced trench technology VDS (V) = 40V -40VMOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gateID = 6A (VGS=10V) -5A (VGS = -10V)charge. The complementary MOSFETs may be used inRDS(ON) RDS(ON)H-bridge, Inverters and other applications.

 8.2. Size:2230K  kexin
 ao4614a.pdf pdf_icon

AO4614B

SMD Type MOSFETComplementary Trench MOSFET AO4614A (KO4614A)SOP-8 Unit:mm Features N-Channel : VDS (V) = 40VID = 6 A (VGS = 10V)1.50 0.15RDS(ON) 31m (VGS = 10V)RDS(ON) 45m (VGS = 4.5V)1 S2 5 D1 6 D1 P-Channel : 2 G27 D23 S1 VDS (V) = -40V8 D24 G1ID = -5 A (VGS = -10V)RDS(ON) 45m (VGS = -10V)RDS(ON) 63m (VGS = -4.5V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HGD155N15S | BUK455-100B | NCEAP016N10LL | FDG6320C | SI7413DN | STB10NK60ZT4 | SSF65R420S2

 

 
Back to Top

 


 
.