Справочник MOSFET. AO4714

 

AO4714 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO4714
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 682 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4714 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  aosemi
ao4714.pdfpdf_icon

AO4714

AO471430V N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryTMSRFET AO4714 uses advanced trench technologyVDS (V) = 30Vwith a monolithically integrated Schottky diode toID =20A (VGS = 10V)provide excellent RDS(ON),and low gate charge. Thisdevice is suitable for use as a low side FET in SMPS, RDS(ON)

 ..2. Size:1466K  kexin
ao4714.pdfpdf_icon

AO4714

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO4714 (KO4714)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V ID = 20 A (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 4.7m (VGS = 10V) RDS(ON) 6.7m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 SourceSRFETTM Soft Recovery MOSFET:Integrated Schottky Diode7 Drain3 Source8 Drain4 GateDGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25

 9.1. Size:278K  aosemi
ao4712.pdfpdf_icon

AO4714

AO471230V N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryVDS30VSRFETTM AO4712 uses advanced trench technology with ID (at VGS=10V) 13Aa monolithically integrated Schottky diode to provideexcellent RDS(ON),and low gate charge. This device is RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:187K  aosemi
ao4718.pdfpdf_icon

AO4714

AO471830V N-Channel MOSFETSRFET TM General Description FeaturesTMSRFET The AO4718 uses advanced trenchVDS (V) = 30Vtechnology with a monolithically integratedID =15A (VGS = 10V)Schottky diode to provide excellent RDS(ON),andlow gate charge. This device is suitable for use RDS(ON)

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: BL7N80-B | IRFZ14SPBF | FDMS86101DC | 4N65KG-TMS2-T | STI60N55F3 | PMT200EPE | IRFR430APBF

 

 
Back to Top

 


 
.