AOB1608L - описание и поиск аналогов

 

AOB1608L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOB1608L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 721 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0073 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для AOB1608L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOB1608L даташит

 ..1. Size:415K  aosemi
aot1608l aob1608l.pdfpdf_icon

AOB1608L

AOT1608L/AOB1608L 60V N-Channel Rugged Planar MOSFET General Description Product Summary VDS 60V The AOT1608L/AOB1608L uses a robust technology that is designed to provide efficient and reliable power ID (at VGS=10V) 140A conversion even in the most demanding applications, RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:415K  aosemi
aob1608l.pdfpdf_icon

AOB1608L

AOT1608L/AOB1608L 60V N-Channel Rugged Planar MOSFET General Description Product Summary VDS 60V The AOT1608L/AOB1608L uses a robust technology that is designed to provide efficient and reliable power ID (at VGS=10V) 140A conversion even in the most demanding applications, RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:253K  inchange semiconductor
aob1608l.pdfpdf_icon

AOB1608L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOB1608L FEATURES Drain Current I = 140A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 7.6m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

 8.1. Size:490K  aosemi
aotf160a60l aot160a60l aob160a60l.pdfpdf_icon

AOB1608L

AOTF160A60L/AOT160A60L/AOB160A60L TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 96A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... AOB12N50 , AOB12N60FD , AOB12T60P , AOB1404L , AOB14N50 , AOB15S60 , AOB15S65 , AOB1606L , IRF540N , AOB20C60 , AOB20S60 , AOB210L , AOB240L , AOB2500L , AOB254L , AOB256L , AOB25S65 .

History: IRF8736TR | WMK05N105C2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.