AOB2606L - описание и поиск аналогов

 

AOB2606L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOB2606L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для AOB2606L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOB2606L даташит

 ..1. Size:420K  aosemi
aot2606l aob2606l aotf2606l.pdfpdf_icon

AOB2606L

AOT2606L/AOB2606L/AOTF2606L 60V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AOT2606L & AOB2606L & AOTF2606L uses Trench 60V MOSFET technology that is uniquely optimized to provide ID (at VGS=10V) 72A the most efficient high frequency switching performance. RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:349K  aosemi
aob2606l.pdfpdf_icon

AOB2606L

AOT2606L/AOB2606L/AOTF2606L 60V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AOT2606L & AOB2606L & AOTF2606L uses Trench 60V MOSFET technology that is uniquely optimized to provide ID (at VGS=10V) 72A the most efficient high frequency switching performance. RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:264K  inchange semiconductor
aob2606l.pdfpdf_icon

AOB2606L

sc N-Channel MOSFET Transistor AOB2606L FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 6.5m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Be suitable for synchronous rectification for server and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 8.1. Size:276K  aosemi
aob260l.pdfpdf_icon

AOB2606L

AOT260L/AOB260L 60V N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AOT(B)260L uses Trench MOSFET technology that VDS 60V is uniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 140A frequency switching performance. Power losses are RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOB20C60 , AOB20S60 , AOB210L , AOB240L , AOB2500L , AOB254L , AOB256L , AOB25S65 , IRF640N , AOB2608L , AOB260L , AOB2618L , AOB262L , AOB264L , AOB266L , AOB270AL , AOB27S60 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.