Справочник MOSFET. AOB418L

 

AOB418L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOB418L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 105 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 69 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 382 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0097 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для AOB418L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOB418L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  aosemi
 aob418l.pdf pdf_icon

AOB418L

AOT418L/AOB418L100V N-Channel MOSFETTMSDMOSGeneral Description Product Summary100VThe AOT418L/AOB418L is fabricated with SDMOSTM VDS105Atrench technology that combines excellent RDS(ON) with low I (at VGS=10V)D

 ..2. Size:239K  inchange semiconductor
 aob418l.pdf pdf_icon

AOB418L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOB418LFEATURESDrain Current I = 105A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 9.7m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for server andgen

 8.1. Size:177K  aosemi
 aob4184.pdf pdf_icon

AOB418L

AOB418440V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThe AOB4184 uses advanced trench technology anddesign to provide excellent RDS(ON) with low gate VDS (V) =40Vcharge. With the excellent thermal resistance of the ID = 50 A (VGS = 10V)D2PAK package, this device is well suited for high RDS(ON)

 8.2. Size:296K  aosemi
 aob418.pdf pdf_icon

AOB418L

AOT418L/AOB418L100V N-Channel MOSFETTMSDMOSGeneral Description Product Summary100VThe AOT418L/AOB418L is fabricated with SDMOSTM VDS105Atrench technology that combines excellent RDS(ON) with low I (at VGS=10V)D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 2N7636-GA | AOB66920L | AOB288L

 

 
Back to Top

 


 
.