AOB442 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AOB442
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 105 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 744 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
Тип корпуса: TO-263
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AOB442 Datasheet (PDF)
aob442.pdf

AOB44240V N-Channel MOSFETTMSDMOSGeneral Description Product SummaryVDS40VThe AOB442 is fabricated with SDMOSTM trench 105A ID (at VGS=10V)technology that combines excellent RDS(ON) with low gate
aob442.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor AOB442FEATURESDrain Current I = 105A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 4.2m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for server andgener
aob440.pdf

AOB440N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOB440 uses advanced trench technology and VDS (V) = 60Vdesign to provide excellent RDS(ON) with low gate ID = 75 A (VGS = 10V)charge. This device is suitable for use in UPS, high RDS(ON)
aob440.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor AOB440FEATURESDrain Current I = 75A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 7.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for server andgenera
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: CS15N70F | FDD16AN08A0F085 | 2SK1601 | IRFZ24L
History: CS15N70F | FDD16AN08A0F085 | 2SK1601 | IRFZ24L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet