GFP50N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: GFP50N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO220

Другие MOSFET... FSS9230R , FSS923AOD , FSS923AOR , FSYA250D , FSYA250R , GFB50N03 , GFB70N03 , GFD30N03 , STP65NF06 , GFP70N03 , H5N2001LD , H5N2001LS , H5N2503P , H5N5004PL , H5N5005PL , H7N0302LS , HAF1001 .