GFP50N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: GFP50N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 35 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.013 Ohm

Тип корпуса: TO220

Другие MOSFET... FSS9230R , FSS923AOD , FSS923AOR , FSYA250D , FSYA250R , GFB50N03 , GFB70N03 , GFD30N03 , IRF9640 , GFP70N03 , H5N2001LD , H5N2001LS , H5N2503P , H5N5004PL , H5N5005PL , H7N0302LS , HAF1001 .