Справочник MOSFET. AOD4126

 

AOD4126 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOD4126
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD4126 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:457K  aosemi
aod4126.pdfpdf_icon

AOD4126

AOD4126/AOI4126100V N-Channel MOSFETTMSDMOSGeneral Description Product Summary100VThe AOD4126&AOI4126 are fabricated with SDMOSTM VDS ID (at VGS=10V) 43Atrench technology that combines excellent RDS(ON) withlow gate charge.The result is outstanding efficiency with RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:457K  aosemi
aod4126 aoi4126.pdfpdf_icon

AOD4126

AOD4126/AOI4126100V N-Channel MOSFETTMSDMOSGeneral Description Product Summary100VThe AOD4126&AOI4126 are fabricated with SDMOSTM VDS ID (at VGS=10V) 43Atrench technology that combines excellent RDS(ON) withlow gate charge.The result is outstanding efficiency with RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:265K  inchange semiconductor
aod4126.pdfpdf_icon

AOD4126

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD4126FEATURESDrain Current I = 43A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =24m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

 8.1. Size:144K  aosemi
aod4128.pdfpdf_icon

AOD4126

AOD4128N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral DescriptionFeaturesThe AOD4128 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance.VDS (V) = 25VThis device is ideally suited for use as a low side switch inID = 60 A (VGS = 10V)CPU core power conversion. The device can also be usedRDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ME2614 | JCS2N60MB | P0908ATF | 2SK2424 | CM20N50P | 2SK4108 | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.