Справочник MOSFET. AOD4126

 

AOD4126 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOD4126
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AOD4126

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD4126 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:457K  aosemi
aod4126.pdfpdf_icon

AOD4126

AOD4126/AOI4126100V N-Channel MOSFETTMSDMOSGeneral Description Product Summary100VThe AOD4126&AOI4126 are fabricated with SDMOSTM VDS ID (at VGS=10V) 43Atrench technology that combines excellent RDS(ON) withlow gate charge.The result is outstanding efficiency with RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:457K  aosemi
aod4126 aoi4126.pdfpdf_icon

AOD4126

AOD4126/AOI4126100V N-Channel MOSFETTMSDMOSGeneral Description Product Summary100VThe AOD4126&AOI4126 are fabricated with SDMOSTM VDS ID (at VGS=10V) 43Atrench technology that combines excellent RDS(ON) withlow gate charge.The result is outstanding efficiency with RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:265K  inchange semiconductor
aod4126.pdfpdf_icon

AOD4126

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD4126FEATURESDrain Current I = 43A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =24m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

 8.1. Size:144K  aosemi
aod4128.pdfpdf_icon

AOD4126

AOD4128N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral DescriptionFeaturesThe AOD4128 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance.VDS (V) = 25VThis device is ideally suited for use as a low side switch inID = 60 A (VGS = 10V)CPU core power conversion. The device can also be usedRDS(ON)

Другие MOSFET... AOD3N80 , AOD3T40P , AOD403 , AOD407 , AOD409 , AOD4102 , AOD4120 , AOD4124 , IRF840 , AOD4128 , AOD4130 , AOD4132 , AOD4136 , AOD413A , AOD4146 , AOD4156 , AOD417 .

History: WMM10N80M3 | IRFH5006 | SSF7509J7 | KIA2803A-263 | RU30E7H | NCE2312A | IPI60R299CP

 

 
Back to Top

 


 
.