Справочник MOSFET. AOD4132

 

AOD4132 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOD4132
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AOD4132

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD4132 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:449K  aosemi
aod4132.pdfpdf_icon

AOD4132

AOD4132N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOD4132 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and lowID = 85A (VGS = 10V)gate resistance. This device is ideally suited for useRDS(ON)

 ..2. Size:838K  cn vbsemi
aod4132.pdfpdf_icon

AOD4132

AOD4132www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.002 at VGS = 10 V 10030 72 nC0.003 at VGS = 4.5 V 90APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOL

 ..3. Size:265K  inchange semiconductor
aod4132.pdfpdf_icon

AOD4132

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD4132FEATURESDrain Current I = 85A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =4.0m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

 8.1. Size:479K  aosemi
aod4130 aoi4130.pdfpdf_icon

AOD4132

AOD4130/AOI413060V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS60VThe AOD4130/AOI4130 combines advanced trenchMOSFET technology with a low resistance package to ID (at VGS=10V) 30Aprovide extremely low RDS(ON). This device is ideal for RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOD407 , AOD409 , AOD4102 , AOD4120 , AOD4124 , AOD4126 , AOD4128 , AOD4130 , IRF540N , AOD4136 , AOD413A , AOD4146 , AOD4156 , AOD417 , AOD418 , AOD4180 , AOD4182 .

History: TPCP8203 | IPD60R2K0PFD7S | MTEA2N15Q8 | OSG60R035HT5ZF | SM2221CSQG

 

 
Back to Top

 


 
.