Справочник MOSFET. AOD423

 

AOD423 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOD423
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AOD423

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD423 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:374K  aosemi
aod423.pdfpdf_icon

AOD423

AOD423/AOI423/AOY42330V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30VThe AOD423/AOI423/AOY423 uses advanced trenchtechnology to provide excellent RDS(ON), low gate charge ID (at VGS= -20V) -70Aand low gate resistance. With the excellent thermal RDS(ON) (at VGS= -20V)

 ..2. Size:207K  inchange semiconductor
aod423.pdfpdf_icon

AOD423

INCHANGE Semiconductorisc P-Channel MOSFET Transistor AOD423FEATURESWith TO-252( DPAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RA

 9.1. Size:318K  aosemi
aod4286.pdfpdf_icon

AOD423

AOD4286/AOI4286100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AOD4286, AOI4286 uses trench MOSFETtechnology that is uniquely optimized to provide the most ID (at VGS=10V) 14Aefficient high frequency switching performance. Both RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:133K  aosemi
aod421.pdfpdf_icon

AOD423

AOD421P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOD421 uses advanced trench technology to VDS (V) = -20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge andID = -12.5 A (VGS = -10V)operation with gate voltages as low as 2.5V. ThisRDS(ON)

Другие MOSFET... AOD4180 , AOD4182 , AOD4184A , AOD4185 , AOD4186 , AOD4189 , AOD421 , AOD422 , IRFP250N , AOD424 , AOD425 , AOD4286 , AOD442 , AOD444 , AOD4454 , AOD446 , AOD450 .

History: AP02N90H-HF | QM4302S

 

 
Back to Top

 


 
.