Справочник MOSFET. AOD4286

 

AOD4286 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOD4286
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AOD4286

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD4286 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:318K  aosemi
aod4286.pdfpdf_icon

AOD4286

AOD4286/AOI4286100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AOD4286, AOI4286 uses trench MOSFETtechnology that is uniquely optimized to provide the most ID (at VGS=10V) 14Aefficient high frequency switching performance. Both RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:318K  aosemi
aod4286 aoi4286.pdfpdf_icon

AOD4286

AOD4286/AOI4286100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AOD4286, AOI4286 uses trench MOSFETtechnology that is uniquely optimized to provide the most ID (at VGS=10V) 14Aefficient high frequency switching performance. Both RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:223K  inchange semiconductor
aod4286.pdfpdf_icon

AOD4286

Isc N-Channel MOSFET Transistor AOD4286FEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltag

 9.1. Size:133K  aosemi
aod421.pdfpdf_icon

AOD4286

AOD421P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOD421 uses advanced trench technology to VDS (V) = -20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge andID = -12.5 A (VGS = -10V)operation with gate voltages as low as 2.5V. ThisRDS(ON)

Другие MOSFET... AOD4185 , AOD4186 , AOD4189 , AOD421 , AOD422 , AOD423 , AOD424 , AOD425 , 2SK3878 , AOD442 , AOD444 , AOD4454 , AOD446 , AOD450 , AOD4504 , AOD454A , AOD456 .

History: PMR290XN | SE4942B | IRFB4110

 

 
Back to Top

 


 
.