Справочник MOSFET. AOD5N40

 

AOD5N40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOD5N40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AOD5N40

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD5N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:472K  aosemi
aod5n40.pdfpdf_icon

AOD5N40

AOD5N40/AOI5N40400V,4.2A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD5N40 & AOI5N40 have been fabricated using anadvanced high voltage MOSFET process that is designed VDS 500V@150to deliver high levels of performance and robustness in ID (at VGS=10V) 4.2Apopular AC-DC applications. RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
aod5n40.pdfpdf_icon

AOD5N40

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD5N40FEATURESDrain Current I = 4.2A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =400V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =1.6(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

 9.1. Size:284K  aosemi
aod5n50.pdfpdf_icon

AOD5N40

AOD5N50500V,5A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD5N50 is fabricated using an advanced high 600V@150voltage MOSFET process that is designed to deliver high VDSlevels of performance and robustness in popular AC-DC ID (at VGS=10V)5Aapplications.By providing low RDS(on), Ciss and Crss along

 9.2. Size:265K  inchange semiconductor
aod5n50.pdfpdf_icon

AOD5N40

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD5N50FEATURESDrain Current I = 5.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =1.6(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Другие MOSFET... AOD508 , AOD510 , AOD514 , AOD516 , AOD526 , AOD528 , AOD536 , AOD538 , STP80NF70 , AOD5N50 , AOD5T40P , AOD603A , AOD607 , AOD609 , AOD6N50 , AOD7N60 , AOD7N65 .

History: VBA1310S | AO3415A | 2SK2162

 

 
Back to Top

 


 
.