AOD5N40 - описание и поиск аналогов

 

AOD5N40. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOD5N40

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для AOD5N40

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD5N40 даташит

 ..1. Size:472K  aosemi
aod5n40.pdfpdf_icon

AOD5N40

AOD5N40/AOI5N40 400V,4.2A N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AOD5N40 & AOI5N40 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed VDS 500V@150 to deliver high levels of performance and robustness in ID (at VGS=10V) 4.2A popular AC-DC applications. RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
aod5n40.pdfpdf_icon

AOD5N40

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD5N40 FEATURES Drain Current I = 4.2A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =400V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =1.6 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

 9.1. Size:284K  aosemi
aod5n50.pdfpdf_icon

AOD5N40

AOD5N50 500V,5A N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AOD5N50 is fabricated using an advanced high 600V@150 voltage MOSFET process that is designed to deliver high VDS levels of performance and robustness in popular AC-DC ID (at VGS=10V) 5A applications.By providing low RDS(on), Ciss and Crss along

 9.2. Size:265K  inchange semiconductor
aod5n50.pdfpdf_icon

AOD5N40

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD5N50 FEATURES Drain Current I = 5.0A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =1.6 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

Другие MOSFET... AOD508 , AOD510 , AOD514 , AOD516 , AOD526 , AOD528 , AOD536 , AOD538 , 10N65 , AOD5N50 , AOD5T40P , AOD603A , AOD607 , AOD609 , AOD6N50 , AOD7N60 , AOD7N65 .

History: SK2302A | ME4925 | 2SK3265

 

 

 

 

↑ Back to Top
.