AOD5N40 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AOD5N40
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 78 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 6.9 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 42 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.6 Ohm
Тип корпуса: TO-252
AOD5N40 Datasheet (PDF)
aod5n40.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AOD5N40/AOI5N40400V,4.2A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD5N40 & AOI5N40 have been fabricated using anadvanced high voltage MOSFET process that is designed VDS 500V@150to deliver high levels of performance and robustness in ID (at VGS=10V) 4.2Apopular AC-DC applications. RDS(ON) (at VGS=10V)
aod5n40.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
isc N-Channel MOSFET Transistor AOD5N40FEATURESDrain Current I = 4.2A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =400V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =1.6(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose
aod5n50.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AOD5N50500V,5A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD5N50 is fabricated using an advanced high 600V@150voltage MOSFET process that is designed to deliver high VDSlevels of performance and robustness in popular AC-DC ID (at VGS=10V)5Aapplications.By providing low RDS(on), Ciss and Crss along
aod5n50.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
isc N-Channel MOSFET Transistor AOD5N50FEATURESDrain Current I = 5.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =1.6(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .