AOI2210 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AOI2210
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 74 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
Тип корпуса: TO-251A
Аналог (замена) для AOI2210
AOI2210 Datasheet (PDF)
aoi2210.pdf

AOD2210/AOI2210200V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 200V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 18A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aoi2210.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI2210FEATURESDrain Current I = 18A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 105m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos
Другие MOSFET... AOD9N50 , AOD9N52 , AOD9T40P , AOH3106 , AOH3110 , AOI11S60 , AOI1N60 , AOI208 , RU7088R , AOI2N60 , AOI2N60A , AOI403 , AOI409 , AOI4102 , AOI4126 , AOI4130 , AOI4146 .
History: PT8810 | AP30P10GP-HF | STW45NM60 | 2SK3156 | RD16HHF1 | FQP50N06
History: PT8810 | AP30P10GP-HF | STW45NM60 | 2SK3156 | RD16HHF1 | FQP50N06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313