Справочник MOSFET. AOI418

 

AOI418 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOI418
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-251A
 

 Аналог (замена) для AOI418

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOI418 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:280K  aosemi
aoi418.pdfpdf_icon

AOI418

AOD418/AOI41830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AOD418/AOI418 uses advanced trench technology to 30V36Aprovide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate ID (at VGS= 10V)resistance. With the excellent thermal resistance of the

 ..2. Size:257K  inchange semiconductor
aoi418.pdfpdf_icon

AOI418

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI418FEATURESDrain Current I = 36A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 7.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for server andgenera

 0.1. Size:269K  aosemi
aod4185 aoi4185.pdfpdf_icon

AOI418

AOD4185/AOI4185P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOD4185/AOI4185 uses advanced trench VDS (V) = -40Vtechnology to provide excellent RDS(ON) and low gate ID = -40A (VGS = -10V)charge. With the excellent thermal resistance of the RDS(ON)

 0.2. Size:269K  aosemi
aoi4185.pdfpdf_icon

AOI418

AOD4185/AOI4185P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOD4185/AOI4185 uses advanced trench VDS (V) = -40Vtechnology to provide excellent RDS(ON) and low gate ID = -40A (VGS = -10V)charge. With the excellent thermal resistance of the RDS(ON)

Другие MOSFET... AOI2N60 , AOI2N60A , AOI403 , AOI409 , AOI4102 , AOI4126 , AOI4130 , AOI4146 , 2N7002 , AOI4184 , AOI4185 , AOI423 , AOI4286 , AOI442 , AOI444 , AOI468 , AOI478 .

History: AOI600A60 | FDMA86108LZ | 5N65G-TN3-R

 

 
Back to Top

 


 
.