Справочник MOSFET. AOI4184

 

AOI4184 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOI4184
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-251A
 

 Аналог (замена) для AOI4184

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOI4184 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:344K  aosemi
aoi4184.pdfpdf_icon

AOI4184

AOD4184/AOI418440V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS40VThe AOD4184/AOI4184 used advanced trenchtechnology and design to provide excellent RDS(ON) with ID (at VGS=10V) 50Alow gate charge. With the excellent thermal resistance of RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
aoi4184.pdfpdf_icon

AOI4184

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI4184FEATURESDrain Current I = 50A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 8m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for server andgeneral

 8.1. Size:269K  aosemi
aod4185 aoi4185.pdfpdf_icon

AOI4184

AOD4185/AOI4185P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOD4185/AOI4185 uses advanced trench VDS (V) = -40Vtechnology to provide excellent RDS(ON) and low gate ID = -40A (VGS = -10V)charge. With the excellent thermal resistance of the RDS(ON)

 8.2. Size:269K  aosemi
aoi4185.pdfpdf_icon

AOI4184

AOD4185/AOI4185P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOD4185/AOI4185 uses advanced trench VDS (V) = -40Vtechnology to provide excellent RDS(ON) and low gate ID = -40A (VGS = -10V)charge. With the excellent thermal resistance of the RDS(ON)

Другие MOSFET... AOI2N60A , AOI403 , AOI409 , AOI4102 , AOI4126 , AOI4130 , AOI4146 , AOI418 , HY1906P , AOI4185 , AOI423 , AOI4286 , AOI442 , AOI444 , AOI468 , AOI478 , AOI482 .

History: AM4953

 

 
Back to Top

 


 
.