Справочник MOSFET. AOI4185

 

AOI4185 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOI4185
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO-251A
 

 Аналог (замена) для AOI4185

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOI4185 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:269K  aosemi
aod4185 aoi4185.pdfpdf_icon

AOI4185

AOD4185/AOI4185P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOD4185/AOI4185 uses advanced trench VDS (V) = -40Vtechnology to provide excellent RDS(ON) and low gate ID = -40A (VGS = -10V)charge. With the excellent thermal resistance of the RDS(ON)

 ..2. Size:269K  aosemi
aoi4185.pdfpdf_icon

AOI4185

AOD4185/AOI4185P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOD4185/AOI4185 uses advanced trench VDS (V) = -40Vtechnology to provide excellent RDS(ON) and low gate ID = -40A (VGS = -10V)charge. With the excellent thermal resistance of the RDS(ON)

 ..3. Size:240K  inchange semiconductor
aoi4185.pdfpdf_icon

AOI4185

isc P-Channel MOSFET Transistor AOI4185FEATURESDrain Current I = -40A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = -40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =15m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

 8.1. Size:344K  aosemi
aoi4184.pdfpdf_icon

AOI4185

AOD4184/AOI418440V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS40VThe AOD4184/AOI4184 used advanced trenchtechnology and design to provide excellent RDS(ON) with ID (at VGS=10V) 50Alow gate charge. With the excellent thermal resistance of RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOI403 , AOI409 , AOI4102 , AOI4126 , AOI4130 , AOI4146 , AOI418 , AOI4184 , AO3407 , AOI423 , AOI4286 , AOI442 , AOI444 , AOI468 , AOI478 , AOI482 , AOI4N60 .

History: IRF1324S-7P | STD60NF3LLT4 | APM9926 | JCS7N70R | 2SK3575-S | AP2324GN-HF | SVDZ24NT

 

 
Back to Top

 


 
.