Справочник MOSFET. AOI4185

 

AOI4185 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOI4185
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO-251A
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOI4185 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:269K  aosemi
aod4185 aoi4185.pdfpdf_icon

AOI4185

AOD4185/AOI4185P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOD4185/AOI4185 uses advanced trench VDS (V) = -40Vtechnology to provide excellent RDS(ON) and low gate ID = -40A (VGS = -10V)charge. With the excellent thermal resistance of the RDS(ON)

 ..2. Size:269K  aosemi
aoi4185.pdfpdf_icon

AOI4185

AOD4185/AOI4185P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOD4185/AOI4185 uses advanced trench VDS (V) = -40Vtechnology to provide excellent RDS(ON) and low gate ID = -40A (VGS = -10V)charge. With the excellent thermal resistance of the RDS(ON)

 ..3. Size:240K  inchange semiconductor
aoi4185.pdfpdf_icon

AOI4185

isc P-Channel MOSFET Transistor AOI4185FEATURESDrain Current I = -40A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = -40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =15m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

 8.1. Size:344K  aosemi
aoi4184.pdfpdf_icon

AOI4185

AOD4184/AOI418440V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS40VThe AOD4184/AOI4184 used advanced trenchtechnology and design to provide excellent RDS(ON) with ID (at VGS=10V) 50Alow gate charge. With the excellent thermal resistance of RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: AP4N4R2H | YTF840 | BSS138A | STF20NM60D | AONU32320 | 2SJ542

 

 
Back to Top

 


 
.